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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V27L25GI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 32K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 16/22頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | IDT70V27L25GI |
Commercial and Industrial Temperature Range
CE
'
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S
2<
*E
$
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IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
/:
BUSY
)-);
16
/:
'
BUSY
);-);-->(
!>.
S
2<
*E
$
!$
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either the left or right port. Port
“
B
”
is the port opposite fromport
“
A
”
.
2. If t
APS
is not satisfied, the busy signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
3. Refer to Chip Enable Truth Table.
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
0(8:(
8'-1;<
!"$
3603 drw 13
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
CE
"A"
3603 drw 14
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
Symbol
Parameter
70V27X15
Com'l Only
70V27X20
Com'l Only
70V27X25
Com'l Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
15
____
20
____
25
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
25
____
20
____
35
ns
3603 tbl 15a
Symbol
Parameter
70V27X35
Com'l &Ind
70V27X55
Com'l Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
30
____
40
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
35
____
45
ns
3603 tbl 15b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V27L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27S55BF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27S55BFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27S55G | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V27L25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PFI | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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