參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V27L25PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 11/22頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： IDT70V27L25PF
Commercial and Industrial Temperature Range
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
11
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time. Refer to Chip Enable
Truth Table.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over voltage
and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
6. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
0(8:(
8'-1;<
!4"@$
Symbol
Parameter
70V27X15
Coml Only
70V27X20
Coml Only
70V27X25
Coml Only
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
15
____
20
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
10
____
15
____
15
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
10
____
15
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
10
____
10
____
15
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
3603 tbl 13a
Symbol
Parameter
70V27X35
Com'l & Ind
70V27X55
Coml Only
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
____
40
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
20
____
30
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
20
____
25
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
20
____
25
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
ns
3603 tbl 13b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V27L25PFI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55BF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55BFI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55GI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V27L25PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V27L35PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V27L35PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V27L35PFI 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V27L35PFI8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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