參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V27S55BFI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 6/22頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： IDT70V27S55BFI
Commercial and Industrial Temperature Range
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
6
!$
!' 2345" 2&(6$'789
0(8:(8
'-1;<
!<
2#&#<=&#<$
NOTE:
1. At Vcc
<
2.0V, input leakages are undefined.
>8'
-1;<
!"$
--8
-
!$
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximumrating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 0.3V.
)>
!$
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V.
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not
production tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your
sales office.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect
to GND
-0.5 to +4.6
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
3603 tbl 05
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
3603 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output
Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
3603 tbl 08
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
CC
+0.3V
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
3603 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V27S
70V27L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3603 tbl 09
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V27S55G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55GI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V27S55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT70V27S55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V28L15PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PFG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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