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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V28L |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 64K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | IDT70V28L |
3
IDT70V28L
High-Speed 3.3V 64K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
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#
''(
'
%&()
'*+,
#
)
-./0!- 1%23#
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization but is not produc-
tion tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
N
OTES:
1.
Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 0.3V.
2.
NOTES:
1.
2.
V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V.
NOTE:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +4.6
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output Current
50
mA
4849 tbl 02
Grade
Ambient
Temperature
(1)
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
4849 tbl 03
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
4849 tbl 05
Left Port
Right Port
Names
CE
0L
, CE
1L
CE
0R
, CE
1R
Chip Enables
R/
W
L
R/
W
R
Read/Write Enable
OE
L
OE
R
Output Enable
A
0L
- A
15L
A
0R
- A
15R
Address
I/O
0L
- I/O
15L
I/O
0R
- I/O
15R
Data Input/Output
SEM
L
SEM
R
Semaphore Enable
UB
L
UB
R
Upper Byte Select
LB
L
LB
R
Lower Byte Select
INT
L
INT
R
Interrupt Flag
BUSY
L
BUSY
R
Busy Flag
M/
S
Master or Slave Select
V
CC
Power
GND
Ground
4849 tbl 01
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
CC
+0.3
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
4849 tbl 04
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IDT70V28L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V28L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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