- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377285 > IDT70V3389S4BF (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V3389S4BF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 64K X 18 DUAL-PORT SRAM, 4.2 ns, PBGA208 |
| 封裝： | FINE PITCH, BGA-208 |
| 文件頁數(shù)： | 2/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | IDT70V3389S4BF |
6.42
IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70V3389 is a high-speed 64K x 18 bit synchronous Dual-Port
RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to allow
simultaneous access of any address fromboth ports. Registers on control,
data, and address inputs provide mnimal setup and hold times. The timng
latitude provided by this approach allows systems to be designed with very
short cycle times. With an input data register, the IDT70V3389 has been
optimzed for applications having unidirectional or bidirectional data flow
in bursts. An automatic power down feature, controlled by
CE
0
and CE
1,
permts the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power
mode.
The 70V3389 can support an Ioperating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V
DD
) remains at 3.3V.
! "#
NOTES:
1. All V
DD
pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
IH
(3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
IL
(0V).
3. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 15mmx 15mmx 1.4mmwith 0.8mmball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
17
16
15
14
12
13
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
I/O
9L
NC
V
SS
NC
A
2L
A
4L
CLK
L
A
8L
A
12L
NC
NC
OPT
L
NC
V
SS
NC
V
SS
A
1L
A
5L
A
9L
A
13L
NC
V
DDQL
I/O
9R
V
DDQR
V
DD
A
3L
A
6L
NC
A
10L
A
14L
NC
NC
NC
V
SS
I/O
10L
NC
NC
I/O
11L
NC
V
DDQR
I/O
10R
NC
I/O
11R
NC
V
SS
V
DD
NC
I/O
12L
V
DD
V
SS
V
SS
NC
V
SS
I/O
12R
CNTRST
R
NC
I/O
14L
V
DDQR
V
DDQL
I/O
15R
NC
V
SS
NC
NC
A
15L
A
11L
A
7L
A
0L
NC
I/O
7L
NC
I/O
6L
I/O
8R
UB
L
NC
I/O
8L
V
DDQL
CE
0L
CE
1L
LB
L
CNTRST
L
OE
L
I/O
0L
I/O
2L
I/O
1R
ADS
R
R/
W
R
NC
I/O
16R
I/O
15L
NC
A
13R
A
12R
NC
V
DD
CLK
R
I/O
0R
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
A
5R
A
9R
CE
0R
CE
1R
V
DD
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
14R
A
10R
UB
R
V
SS
V
DDQL
I/O
1L
I/O
2R
NC
NC
NC
A
15R
A
11R
A
7R
LB
R
OE
R
V
SS
NC
V
DDQL
OPT
R
NC
70V3389BF
BF-208
(5)
208-Pin fpBGA
Top View
(6)
4832 tbl 02
I/O
14R
V
DDQL
V
SS
V
DDQR
NC
NC
NC
NC
I/O
7R
NC
R/
W
L
NC
ADS
L
V
DDQL
I/O
13R
CNTEN
L
V
SS
I/O
13L
V
SS
I/O
16L
V
DDQR
V
SS
I/O
17R
I/O
17L
V
DDQL
V
SS
V
DD
A
8R
CNTEN
R
A
6R
A
3R
A
1R
A
2R
A
0R
I/O
3L
I/O
4L
A
4R
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQR
V
DDQL
V
SS
V
DDQR
V
SS
I/O
3R
I/O
4R
V
SS
V
DDQR
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
I/O
5R
I/O
5L
V
DDQR
I/O
6R
V
SS
V
SS
V
DDQL
V
DD
V
SS
V
DDQR
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3389S4BFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S4PRF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S4PRFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S5BC | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S5BCI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V3389S4BF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3389S4PRF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 4NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3389S4PRF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 4NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3389S5BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3389S5BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。