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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V3569S5BFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 16K X 36 DUAL-PORT SRAM, 5 ns, PBGA208 |
| 封裝： | FINE PITCH, BGA-208 |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 198K |
| 代理商： | IDT70V3569S5BFI |
6.42
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
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NOTES:
1. All V
DD
pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
IH
(3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
IL
(0V).
3. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 28mmx 28mmx 3.5mm
5. This package code is used to reference the package diagram
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S5DRI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S6BC | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S6BCI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S6BF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S6BFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S5BFI8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S5DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 208QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S5DRI | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 208QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3569S6BAI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT70V3569S6BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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