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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V3569S6BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 16K X 36 DUAL-PORT SRAM, 6 ns, PBGA256 |
| 封裝： | BGA-256 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 198K |
| 代理商： | IDT70V3569S6BC |
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6.42
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70V3569 is a high-speed 16K x 36 bit synchronous Dual-Port
RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to allow
simultaneous access of any address fromboth ports. Registers on control,
data, and address inputs provide mnimal setup and hold times. The timng
latitude provided by this approach allows systems to be designed with very
short cycle times. With an input data register, the IDT70V3569 has been
optimzed for applications having unidirectional or bidirectional data flow
in bursts. An automatic power down feature, controlled by
CE
0
and CE
1,
permts the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power
mode.
The 70V3569 can support an operating voltage of either 3.3V or
2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power
supply for the core of the device (V
DD
) remains at 3.3V.
! "#
NOTES:
1. All V
DD
pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
IH
(3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
IL
(0V).
3. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 15mmx 15mmx 1.4mm with 0.8mmball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
A17
V
SS
B17
I/O
15R
C17
V
SS
D17
I/O
14R
E16
V
SS
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I/O
13L
D16
I/O
14L
C16
I/O
15L
B16
I/O
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A16
I/O
17L
A15
OPT
L
B15
V
DDQR
C15
I/O
16R
D15
V
DDQL
E15
I/O
13R
E14
I/O
12L
D14
I/O
17R
D13
V
DD
C12
A
6L
C14
V
DD
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V
SS
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A
0L
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L
B12
A
5L
C11
R/
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L
D12
A
3L
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C10
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L
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C8
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1L
D9
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CE
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A
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A
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A13
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V
DD
D7
A
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B7
A
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B6
A
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NC
D6
A
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B5
NC
C5
NC
D5
NC
B4
V
SS
C4
V
DD
D4
I/O
20L
B3
I/O
18R
C3
V
DDQR
D3
I/O
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D2
V
SS
C2
I/O
19R
B2
V
SS
B1
I/O
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C1
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D1
I/O
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I/O
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I/O
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SS
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I/O
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V
SS
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G4
I/O
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H1
V
DD
H2
I/O
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H3
V
DDQR
H4
I/O
25R
J1
V
DDQL
J2
V
DD
J3
V
SS
J4
V
SS
K1
I/O
28R
K2
V
SS
K3
I/O
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K4
V
SS
L1
I/O
29R
L2
I/O
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V
DDQR
L4
I/O
27L
M1
V
DDQL
M2
I/O
29L
M3
I/O
30R
M4
V
SS
N1
I/O
31L
N2
V
SS
N3
I/O
31R
N4
I/O
30L
P1
I/O
32R
P2
I/O
32L
P3
V
DDQR
P4
I/O
35R
R1
V
SS
R2
I/O
33L
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I/O
34R
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NC
T1
I/O
33R
T2
I/O
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V
DDQL
T4
V
SS
U1
V
SS
U2
I/O
35L
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V
DD
U4
NC
P5
NC
R5
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U6
A
11R
P12
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P8
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R
P9
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1R
R8
BE
2R
T8
BE
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V
DD
P10
V
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W
R
U8
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P11
CLK
R
R12
A
5R
T12
A
6R
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A
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A
4R
P7
A
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R13
A
1R
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A
2R
U13
A
0R
R6
A
13R
T5
NC
U7
A
7R
U14
V
DD
T14
V
SS
R14
V
SS
P14
I/O
2L
P15
I/O
3L
R15
V
DDQL
T15
I/O
0R
U15
OPT
R
U16
I/O
0L
U17
I/O
1L
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V
SS
T17
I/O
2R
R17
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R16
I/O
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P17
I/O
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SS
N17
I/O
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I/O
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I/O
8L
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SS
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9R
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G17
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V
SS
70V3569BF
BF-208
(5)
208-Pin fpBGA
Top View
(6)
F15
I/O
12R
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B10
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U5
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4831 drw 02c
,
A7
A
12L
A5
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A4
NC
A3
V
SS
A2
IO
18L
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IO
19L
A6
NC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S6BCI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S6BF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S6BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S6BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S6BF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S6BFG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S6DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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