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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V7599S133BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256 |
| 封裝： | 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | IDT70V7599S133BC |
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6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Pin Configuration
(1,2,3,4)
(con't.)
NOTES:
1. All V
DD
pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
IH
(3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is set to V
IL
(0V).
3. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 28mmx 28mmx 3.5mm
5. This package code is used to reference the package diagram
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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70V7599DR
DR-208
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208-Pin PQFP
Top View
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7599S133BCI | High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk |
| IDT70V7599S133BF | High Conductance Low Leakage Diode |
| IDT70V7599S133BFI | High Conductance Low Leakage Diode |
| IDT70V7599S133DR | High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk |
| IDT70V7599S133DRI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V7599S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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