參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V7599S133DR
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
中文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP208
封裝： 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
文件頁(yè)數(shù)： 22/22頁(yè)
文件大小： 489K
代理商： IDT70V7599S133DR
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Ordering Information
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
BF
DR
BC
208-pin fpBGA (BF-208)
208-pin PQFP (DR-208)
256-pin BGA (BC-256)
200
166
133
XXXXX
Device
Type
IDT
Speed in Megahertz
5626 drw 22
S
Standard Power
70V7599 4Mbit (128K x 36-Bit) SynchronousBank-Switchable Dual-Port RAM
Commercial Only
(1)
Commercial & Industrial
(2)
Commercial & Industrial
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
CORPORATE HEADQUARTERS
2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-5166
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
831-754-4613
DualPortHelp@idt.com
Datasheet Document History:
1/5/00:
10/19/01:
Initial Public Offering
Page 2, 3 & 4 Added date revision for pin configurations
Page 9
Changed I
SB
3
values for commercial and industrial DC Electrical Characteristics
Page 11 Changed t
OE
value in AC Electrical Characteristics, please refer to Errata #SMEN-01-05
Page 20 Increased t
JCD
from20ns to 25ns, please refer to Errata #SMEN-01-04
Page 1 & 22 Replaced
TM
logo with logo
Page 1, 9, 11 & 22 Added 200MHz specification
Page 9 Tightened power numbers in DC Electrical Characteristics
Page 14 Changed waveforms to show INVALID operation if t
CO
< mnimumspecified
Page 1 - 22 Removed "Prelimnary" status
Page 9, 11 & 22 Designated 200 Mhz speed grade available in BC-256 package only.
03/18/02:
12/4/02:
NOTES:
1. Available in BC-256 package only.
2. Industrial Temperature at 166Mhz not available in BF-208 package.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7599S133DRI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V9089L9PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9079S HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9089S9PF Halogen Swivel Mount Lamp, 4 in x 6 in [101,6 mm x 152,4 mm], Spot Beam Pattern, 24 Vdc/60 W/2.5 A
IDT70V9079L12PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V7599S133DRI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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