參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V9079S
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 高速3.3 64/32K × 8同步雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 14/19頁(yè)
文件大?。?/td> 332K
代理商： IDT70V9079S
6.42
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (
OE
= V
IL
)
(3)
t
CYC1
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
t
SD
t
HD
An + 3
An + 4
An + 5
(4)
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
3750 drw 13
Qn
DATA
OUT
CE
1
t
CD1
t
CH1
t
CL1
t
CYC1
t
CD1
t
DC
Qn + 4
t
CD1
t
DC
t
SC
t
HC
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
WRITE
READ
t
CKLZ
(2)
Dn + 3
t
OHZ
(1)
(1)
t
SW
t
HW
OE
t
OE
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (
OE
Controlled)
(3)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3.
CE
0
and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
3750 drw 12
Qn
DATA
OUT
CE
1
t
CD1
Qn + 1
t
CH1
t
CL1
t
SD
t
HD
t
CD1
t
CD1
t
DC
t
CKHZ
NOP
Qn + 3
(1)
t
CD1
t
DC
t
SC
t
HC
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
READ
t
CKLZ
(4)
(2)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IDT70V9079L6PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V9079S12PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9079S6PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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