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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V9269S15PRFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 32K的× 16 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/19頁 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | IDT70V9269S15PRFI |
6.42
IDT70V9279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read
(1,2,3,5)
12
DATA
IN "A"
CLK
"B"
R/
W
"B"
ADDRESS
"A"
R/
W
"A"
CLK
"A"
ADDRESS
"B"
NO
MATCH
MATCH
NO
MATCH
MATCH
VALID
t
CWDD
t
CD1
t
DC
DATA
OUT "B"
3743 drw 09
VALID
VALID
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
SD
t
HD
t
HW
t
HA
t
CD1
t
CCS
t
DC
t
SA
t
SW
(4)
(4)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2.
CE
0
,
UB
,
LB
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
3.
OE
= V
IL
for the Right Port, which is being read from.
OE
= V
IH
for the Left Port, which is being written to.
4. If t
CCS
< maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t
CWDD
.
If t
CCS
> maximum specified, then data from right port READ is not valid until t
CCS
+ t
CD1
. t
CWDD
does not apply in this case.
5. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V9269S6PRF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9269S6PRFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9269S7PRF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9269S7PRFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9279S12PRF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V9269S6PRF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9269S6PRF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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