- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377295 > IDT71256L30L (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71256L30L |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 29 ns, CQCC32 |
| 封裝： | LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | IDT71256L30L |
7.2
6
IDT71256 S/L
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
10%, All Temperature Ranges)
71256S55
(1)
71256L55
(1)
71256S70
(1)
71256L70
(1)
71256S85
(1)
71256L85
(1)
71256S100
(1,3)
71256L100
(1,3)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t
RC
Read Cycle Time
55
—
70
—
85
—
100
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
55
—
70
—
85
—
100
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
—
55
—
70
—
85
—
100
ns
t
CLZ
(2)
t
CHZ
(2)
Chip Deselect to Output in Low-Z
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Output Enable to Output in Low-Z
—
25
—
30
—
35
—
40
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
—
25
—
30
—
35
—
40
ns
t
OLZ
(2)
Output Enable to Output in Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
OHZ
(2)
Output Disable to Output in High-Z
0
25
0
30
—
35
—
40
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
55
—
70
—
85
—
100
—
ns
t
CW
Chip Select to End-of-Write
50
—
60
—
70
—
80
—
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
50
—
60
—
70
—
80
—
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
40
—
45
—
50
—
55
—
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
DW
Data to Write Time Overlap
25
—
30
—
35
—
40
—
ns
t
DH
Data Hold from Write Time (
WE
)
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
WHZ
(2)
Write Enable to Output in High-Z
—
25
—
30
—
35
—
40
ns
t
OW
(2)
Output Active from End-of-Write
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
NOTES:
1. –55
°
C to +125
°
C temperature range only.
2. This parameter guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. Also available: 120 and 150 ns military devices.
2946 tbl 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71256S120L | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256S120P | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256S120PB | 1.8-V to 5-V Dual UART with 16-Byte FIFOs 48-TQFP -40 to 85 |
| IDT71256S120TD | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256S120TDB | 1.8-V to 5-V Dual UART with 16-Byte FIFOs 48-TQFP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71256L35DB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT71256L35TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT71256L35Y | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71256L35Y/2996 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71256L35Y8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。