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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71256L30LB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, CQCC32 |
| 封裝： | LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | IDT71256L30LB |
7.2
7
IDT71256S/L
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1
(1)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 3
(1, 3, 4)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2
(1, 2, 4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS
transition LOW.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured
±
200mV from steady state.
2946 drw 07
ADDRESS
CS
DATA
OUT
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
(5)
t
CLZ
t
CHZ(5)
t
OE
t
OLZ
(5)
t
OHZ(5)
OE
2946 drw 08
ADDRESS
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
2946 drw 09
DATA
OUT
CS
t
ACS
(5)
t
CLZ
(5)
t
CHZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71256L30P | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256L30PB | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256L30TD | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256L30TDB | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71256L30Y | CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71256L35DB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT71256L35TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT71256L35Y | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ |
| IDT71256L35Y/2996 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71256L35Y8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ |
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