參數(shù)資料
型號: IDT71256L35PB
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
中文描述: 的CMOS靜態(tài)RAM 256K(32K的× 8位)
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大?。?/td> 78K
代理商: IDT71256L35PB
7.2
6
IDT71256 S/L
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
10%, All Temperature Ranges)
71256S55
(1)
71256L55
(1)
71256S70
(1)
71256L70
(1)
71256S85
(1)
71256L85
(1)
71256S100
(1,3)
71256L100
(1,3)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t
RC
Read Cycle Time
55
70
85
100
ns
t
AA
Address Access Time
55
70
85
100
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
55
70
85
100
ns
t
CLZ
(2)
t
CHZ
(2)
Chip Deselect to Output in Low-Z
5
5
5
5
ns
Output Enable to Output in Low-Z
25
30
35
40
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
25
30
35
40
ns
t
OLZ
(2)
Output Enable to Output in Low-Z
0
0
0
0
ns
t
OHZ
(2)
Output Disable to Output in High-Z
0
25
0
30
35
40
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
5
5
5
5
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
55
70
85
100
ns
t
CW
Chip Select to End-of-Write
50
60
70
80
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
50
60
70
80
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
0
0
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
40
45
50
55
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
0
0
0
ns
t
DW
Data to Write Time Overlap
25
30
35
40
ns
t
DH
Data Hold from Write Time (
WE
)
0
0
0
0
ns
t
WHZ
(2)
Write Enable to Output in High-Z
25
30
35
40
ns
t
OW
(2)
Output Active from End-of-Write
5
5
5
5
ns
NOTES:
1. –55
°
C to +125
°
C temperature range only.
2. This parameter guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. Also available: 120 and 150 ns military devices.
2946 tbl 11
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PDF描述
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IDT71256L35Y/2996 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71256L35Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71256L35YG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6