參數(shù)資料
型號： IDT7130LA25TF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
封裝： STQFP-64
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： IDT7130LA25TF
6.01
9
IDT7130SA/LA AND IDT7140SA/LA
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(7)
8
M824S258M824S30
7132158M824S4
7130X100
7140X100
Max.
7130X20
(1)
7130X25
(9)
7140X25
(9)
Min. Max. Min. Max.
7130X35
7140X35
7130X55
7140X55
Min. Max. Min.
Symbol
Busy Timing (For Master lDT7130 Only)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable
t
WH
Write Hold After
BUSY
(6)
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(2)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(2)
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(3)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(4)
Busy Timing (For Slave IDT7140 Only)
e
t
WB
Write to
BUSY
Input
(5)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(6)
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(2)
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(2)
Parameter
Min. Max.
Unit
—
—
—
—
12
—
—
5
—
5
0
12
—
—
20
20
20
20
—
40
30
—
25
—
—
—
40
30
—
—
—
—
15
—
—
5
—
5
0
15
—
—
20
20
20
20
—
50
35
—
35
—
—
—
50
35
—
—
—
—
20
—
—
5
—
5
0
20
—
—
20
20
20
20
—
60
35
—
35
—
—
—
60
35
—
—
—
—
20
—
—
5
—
5
0
20
—
—
30
30
30
30
—
80
55
—
50
—
—
—
80
55
—
—
—
—
20
—
—
5
—
5
0
20
—
—
50
50
50
50
—
120
100
—
65
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
120
100
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. Com'l Only, 0
°
C to +70
°
C temperature range. PLCC and TQFP packages only.
2. Port-to-port delay through RAM cells from the writing port to the reading port, refer to “Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and
BUSY
."
3. To ensure that the earlier of the two ports wins.
4. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0, t
WDD
– t
WP
(actual), or t
DDD
– t
DW
(actual).
5. To ensure that a write cycle is inhibited on port 'B' during contention on port 'A'.
6. To ensure that a write cycle is completed on port 'B' after contention on port 'A'.
7. “X” in part numbers indicates power rating (SA or LA).
8. Not available in DIP packages.
2689 tbl 11
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
t
WC
t
WP
t
DW
t
DH
t
BDD
t
DDD
t
BDA
t
WDD
ADDR
’B’
DATA
OUT’B’
DATA
IN’A’
ADDR
’A’
MATCH
VALID
MATCH
VALID
R/
W
’A’
BUSY
’B’
t
APS
2689 drw 12
(1)
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins.
t
BDD
is ignored for slave (IDT7140).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL.
3. OE = V
IL
for the reading port.
4. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
(2,3,4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7140LA25TF HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7130LA20F HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7130LA20FB HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7130LA20J HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7130LA20JB Dual UART with 16-Byte FIFOs & Parallel Port 68-PLCC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7130LA25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130LA25TFGI 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7130LA25TFI 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7130LA25TFI8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130LA35C 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*