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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7130SA20JG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC52 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件頁數(shù)： | 6/19頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA20JG |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Data Retention Waveform
V
CC
CE
4.5V
4.5V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0V
≥
2692 drw 06
,
Data Retention Charac teristic s
(LA Version Only)
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25°C, and is not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
7130LA/7140LA
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
2.0
___
___
V
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 2.0V,
CE
> V
CC
-0.2V
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
COML.
___
100
1500
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
V
IN
> V
CC
-0.2V or V
IN
< 0.2V
0
___
___
ns
t
R
(3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
___
___
ns
2689 tbl 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA20JGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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參數(shù)描述 |
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