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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7130SA20L48GB |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 高速每1000 × 8雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 10/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA20L48GB |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
AC Elec tric al Charac teristic s Over the
Operating Temperature Supply Voltage Range
(5)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2). This parameter is guaranteed by device characterization but
is not production tested.
2. PLCC, TQFP and STQFP packages only.
3. For MASTER/SLAVE combination, t
WC
= t
BAA
+ t
WP
, since R/
W
= V
IL
must occur after t
BAA.
4. If
OE
is LOW during a R/
W
controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t
WP
or (t
WZ
+ t
DW
) to allow the I/O drivers to turn off data
to be placed on the bus for the required t
DW
. If
OE
is HIGH during a R/W controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse
can be as short as the specified t
WP
.
5. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
Symbol
Parameter
7130X20
(2)
7140X20
(2)
Com'l Only
7130X25
7140X25
Com'l, Ind
& Military
7130X35
7140X35
Com'l
& Military
Unit
Min.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
(3)
20
____
25
____
35
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
15
____
20
____
30
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
15
____
20
____
30
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
(4)
15
____
15
____
25
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
10
____
12
____
15
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1)
____
10
____
10
____
15
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1)
____
10
____
10
____
15
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1)
0
____
0
____
0
____
ns
2689 tbl 10a
Symbol
Parameter
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Military
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Military
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
(3)
55
____
100
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
40
____
90
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
40
____
90
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
(4)
30
____
55
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
20
____
40
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1)
____
25
____
40
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1)
____
25
____
40
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1)
0
____
0
____
ns
2689 tbl 10b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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