參數(shù)資料
型號： IDT7130SA20TFGB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述： 高速每1000 × 8雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大?。?/td> 167K
代理商： IDT7130SA20TFGB
5
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Elec tric al Charac teristic s Over the Operating
Temperature and S upply Voltage Range
(1,5)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
2. PLCC , TQFP and STQFP packages only.
3. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
CYC
, and using “AC TEST CONDITIONS” of input levels
of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to inputs at CMOS level standby.
5. Vcc = 5V, T
A
=+25°C for Typ and is not production tested. Vcc DC = 100 mA (Typ)
6. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is opposite fromport "A".
7130X20
(2)
7140X20
(2)
Com'l Only
7130X25
7140X25
Com'l, Ind
& Mlitary
7130X35
7140X35
Com'l
& Mlitary
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled
f = f
MAX
(3)
COML
SA
LA
110
110
250
200
110
110
220
170
110
110
165
120
mA
MIL &
IND
SA
LA
____
____
____
____
110
110
280
220
110
110
230
170
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
and
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
SA
LA
30
30
65
45
30
30
65
45
25
25
65
45
mA
MIL &
IND
SA
LA
____
____
____
____
30
30
80
60
25
25
80
60
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
= V
and
CE
= V
(6)
Active Port OutputsDisabled,
f=f
MAX
(3)
COML
SA
LA
65
65
165
125
65
65
150
115
50
50
125
90
mA
MIL &
IND
SA
LA
____
____
____
____
65
65
160
125
50
50
150
115
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
CE
L
and
CE
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
COML
SA
LA
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
30
10
mA
MIL &
IND
SA
LA
____
____
____
____
1.0
0.2
30
10
____
____
____
____
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(6)
V
> V
- 0.2V or V
< 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f
MAX
(3)
COML
SA
LA
60
60
155
115
60
60
145
105
45
45
110
85
mA
MIL &
IND
SA
LA
____
____
____
____
60
60
155
115
45
45
145
105
2689 tbl 06a
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Mlitary
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Mlitary
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
and
CE
= V
IL
,
Outputs Disabled
f = f
MAX
(3)
COML
SA
LA
110
110
155
110
110
110
155
110
mA
MIL &
IND
SA
LA
110
110
190
140
110
110
190
140
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
and
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
SA
LA
20
20
65
35
20
20
55
35
mA
MIL &
IND
SA
LA
20
20
65
45
20
20
65
45
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
= V
and
CE
= V
(6)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(3)
COML
SA
LA
40
40
110
75
40
40
110
75
mA
MIL &
IND
SA
LA
40
40
125
90
40
40
125
90
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
CE
L
and
CE
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
COML
SA
LA
1.0
0.2
15
4
1.0
0.2
15
4
mA
MIL &
IND
SA
LA
1.0
0.2
30
10
1.0
0.2
30
10
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(6)
V
> V
- 0.2V or V
< 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f
MAX
(3)
COML
SA
LA
40
40
100
70
40
40
95
70
mA
MIL &
IND
SA
LA
40
40
110
85
40
40
110
80
2689 tbl 06b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA20TFGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25CG Replacement for Intersil part number 5962-8964301XC. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IDT7130SA25CGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25CGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25FG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7130SA25J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA25J8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA25L48B 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 48LCC
IDT7130SA25PF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7130SA25PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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