參數(shù)資料
型號(hào): IDT7130SA25CGB
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述: 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, CDIP48
封裝: 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, SIDE BRAZED, DIP-48
文件頁數(shù): 6/19頁
文件大小: 167K
代理商: IDT7130SA25CGB
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Data Retention Waveform
V
CC
CE
4.5V
4.5V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0V
2692 drw 06
,
Data Retention Charac teristic s
(LA Version Only)
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25°C, and is not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
7130LA/7140LA
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
2.0
___
___
V
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 2.0V,
CE
> V
CC
-0.2V
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
COML.
___
100
1500
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
V
IN
> V
CC
-0.2V or V
IN
< 0.2V
0
___
___
ns
t
R
(3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
___
___
ns
2689 tbl 07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA25CGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25FG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25FGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25FGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25JG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
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參數(shù)描述
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IDT7130SA25PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)