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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7130SA35FGB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CQFP48 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, QFP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/19頁(yè) |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IDT7130SA35FGB |
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IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of
BUSY
Arbitration Controlled by
CE
T iming
(1)
14
AC Elec tric al Charac teristic s Over the
Operating Temperature and S upply Voltage Range
(2)
NOTES:
1.
2.
PLCC, TQFP and STQFP package only.
'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
T iming Waveform by
BUSY
Arbitration Controlled
by Address Matc h Timing
(1)
t
APS
ADDR
'A'
AND
'B'
ADDRESSES MATCH
t
BAC
t
BDC
CE
'B'
CE
'A'
BUSY
'A'
2689 drw 14
(2)
BUSY
'B'
ADDRESSES DO NOT MATCH
ADDRESSES MATCH
t
APS
ADDR
'A'
ADDR
'B'
2689 drw 15
(2)
t
BAA
t
BDA
t
RC
OR t
WC
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite fromport “A”.
2. If t
APS
is not satisified, the
BUSY
will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side
BUSY
will be asserted (7130 only).
7130X20
(1)
7140X20
(1)
Com'l Only
7130X25
7140X25
Com'l, Ind
& Military
7130X35
7140X35
Com'l
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
20
____
25
____
25
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
20
____
25
____
25
ns
2689 tbl 12a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35FGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20CGI | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7130SA20FG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7130SA35J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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| IDT7130SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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