參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7130SA55TFG
廠(chǎng)商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述： 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP64
封裝： 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
文件頁(yè)數(shù)： 4/19頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： IDT7130SA55TFG
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings
(1)
4
Rec ommended DC Operating
Conditions
Symbol
Parameter
Rec ommended Operating
Temperature and S upply Voltage
(1)
DC Elec tric al Charac teristic s Over the Operating
Temperature and S upply Voltage Range
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
Capac itanc e
(T
A
= +25°C, f = 1.0MHz)
S T QFP and T QFP Pac kages Only
NOTE:
1. At Vcc
<
2.0V leakages are undefined.
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of the specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 10%.
NOTES:
1.
2.
V
IL
(mn.) > -1.5V for pulse width less than 10ns.
V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Mlitary
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect
to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
50
mA
2689 tbl 01
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
2689 tbl 02
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Military
-55
O
C to +125
O
C
0V
5.0V
+
10%
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
2689 tbl 03
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
2689 tbl 05
Symbol
Parameter
Test Conditions
7130SA
7140SA
7130LA
7140LA
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
(1)
V
CC
- 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage (I/O
0
-I/O
7
)
I
OL
= 4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OL
Open Drain Output
Low Voltage (
BUSY
,
INT
)
I
OL
= 16mA
___
0.5
___
0.5
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
2689 tbl 04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA55TFGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA55TFGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7132SA25L48 HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7142SA25L48 HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7132LA25L48 HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71321LA20J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71321LA20J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71321LA20JG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71321LA20JG8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71321LA20PF 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*