參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71321LA35J
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52
封裝： 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： IDT71321LA35J
6.42
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of
BUSY
Arbitration Controlled by
CE
Timing
(1)
Timing Waveform of
BUSY
Arbitration Controlled
by Address Match Timing
(1)
Truth Tables
Table I. Non-Contention Read/Write Control
(4)
Left or Right Port
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
4.
A
0L
- A
10L
≠
A
0R
- A
10R
If
BUSY
= L, data is not written.
If
BUSY
= L, data may not be valid, see t
WDD
and t
DDD
timing.
'H' = V
IH
, 'L' = V
IL
, 'X' = DON’T CARE, 'Z' = HIGH IMPEDANCE
t
APS
(2)
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
t
BAC
t
BDC
CE
"B"
CE
"A"
BUSY
"A"
2692 drw 13
BUSY
"B"
ADDRESSES DO NOT MATCH
ADDRESSES MATCH
t
APS
(2)
ADDR
"A"
ADDR
"B"
2692 drw 14
t
BAA
t
BDA
t
RC
or t
WC
NOTES:
1.
2.
All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
If t
APS
is not satisified, the
BUSY
will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side
BUSY
will be asserted (7132 only).
R/
W
CE
OE
D
0-7
Function
X
H
X
Z
Port Disabled and in Power-Down Mode, I
SB2
or I
SB4
X
H
X
Z
CE
R
=
CE
L
= V
IH,
Power-Down Mode, I
SB1
or I
SB3
L
L
X
DATA
IN
Data on Port Written into Memory
(2)
H
L
L
DATA
OUT
Data in Memory Output on Port
(3)
X
L
H
Z
High Impedance Outputs
2692 tbl 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71321LA35JI P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SuperSOT; No of Pins: 3; Container: Tape & Reel
IDT71321LA35PF P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
IDT71321LA35PFI HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA35TF HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA35TFI HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71321LA35J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71321LA35PF 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71321LA35PF8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71321LA35TF 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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