參數(shù)資料
型號(hào): IDT7132LA20PB
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速2K × 8雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù): 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 175K
代理商: IDT7132LA20PB
IDT7132SA/LA AND IDT7142SA/LA
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.02
4
5V
1250
30pF*
775
DATA
OUT
5V
1250
775
5pF*
DATA
OUT
2692 drw 06
100pF for 55 and 100ns versions
270
30pF*
BUSY
or
INT
100pF for 55 and 100ns versions
5V
DATA RETENTION WAVEFORM
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
2692 tbl 07
GND TO 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(LA Version Only)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DR
I
CCDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
2.0
100
100
V
μ
A
μ
A
V
CC
= 2.0V,
CE
V
CC
-0.2V
V
IN
V
CC
-0.2V or V
IN
0.2V
Mil.
Com’l.
4000
1500
t
CDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery
Time
0
ns
t
R
t
RC
ns
(3)
(3)
(2)
lDT7132LA/IDT7142LA
Figure 2. Output Test Load
(for t
HZ
, t
LZ
, t
WZ
, and t
OW
)
* Including scope and jig
Figure 1. AC Output Test Load
2692 tbl 06
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25
°
C, and is not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
V
CC
CE
4.5V
4.5V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0V
2692 drw 05
Figure 3.
AC Output Test Load
BUSY
and
INT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7132LA25C HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7132LA25CB HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT7132LA25FB HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7132LA35J HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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