- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377306 > IDT7132SA55FB (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT7132SA55FB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQFP48 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, CERAMIC, FP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | IDT7132SA55FB |
IDT7132SA/LA AND IDT7142SA/LA
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.02
4
5V
1250
30pF*
775
DATA
OUT
5V
1250
775
5pF*
DATA
OUT
2692 drw 06
100pF for 55 and 100ns versions
270
30pF*
BUSY
or
INT
100pF for 55 and 100ns versions
5V
DATA RETENTION WAVEFORM
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
2692 tbl 07
GND TO 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(LA Version Only)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DR
I
CCDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
2.0
—
—
—
100
100
—
V
μ
A
μ
A
V
CC
= 2.0V,
CE
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
V
CC
-0.2V or V
IN
≤
0.2V
Mil.
Com’l.
4000
1500
t
CDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery
Time
0
—
—
ns
t
R
t
RC
—
—
ns
(3)
(3)
(2)
lDT7132LA/IDT7142LA
Figure 2. Output Test Load
(for t
HZ
, t
LZ
, t
WZ
, and t
OW
)
* Including scope and jig
Figure 1. AC Output Test Load
2692 tbl 06
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25
°
C, and is not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
V
CC
CE
4.5V
4.5V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0V
≥
2692 drw 05
Figure 3.
AC Output Test Load
BUSY
and
INT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7132SA55J | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7132SA55L48 | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7132SA55L48B | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7132SA55P | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7132SA55PB | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7132SA55J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7132SA55J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7132SA55JI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT7132SA55L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 48LCC |
| IDT7132SA55P | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。