參數(shù)資料
型號(hào): IDT7133SA90PFB
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
中文描述: 2K X 16 DUAL-PORT SRAM, 90 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁(yè)數(shù): 8/16頁(yè)
文件大小: 140K
代理商: IDT7133SA90PFB
6.42
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1, EITHER SIDE
(5)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2, EITHER SIDE
(5)
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is deasserted first,
OE
or
CE
.
3. t
BDD
delay is required only in a case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations,
BUSY
has no
relationship to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last, t
AOE
, t
ACE
, t
AA,
or t
BDD
.
5. R/W = V
IH
, and the address is valid prior to or coincidental with
CE
transition LOW.
2746 drw 07
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
ADDRESS
t
RC
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
BUSY
OUT
t
BDD
(3,4)
2746 drw 08
t
AOE
t
LZ
t
HZ
DATA
OUT
CE
t
ACE
VALID DATA
OE
CURRENT
I
CC
I
SB
t
PU
50%
t
LZ
t
PD
50%
t
HZ
(1)
(4)
(1)
(4)
(2)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7133SA90PFI HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
IDT7143LA70GI HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
IDT7143LA70J HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
IDT7143LA70JB HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
IDT7143LA70JI HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
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參數(shù)描述
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