參數(shù)資料
型號： IDT7134
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： High Speed 4K X 8 Dual-Port Static RAM(高速4K×8雙口靜態(tài)RAM)
中文描述： 高速4K的× 8雙端口靜態(tài)存儲器（高速4K的× 8雙口靜態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： IDT7134
IDT7134SA/LA
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
MILITARY, INDUSTRIAL AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.04
3
CAPACITANCE
(1)
(T
A
= +25
°
C, f = 1.0MHz)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
l
b
m
y
S
g
n
R
RECOMMENDED OPERATING
TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(1,2)
e
d
a
r
G
e
m
A
t
r
e
p
m
e
T
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(V
CC
= 5V
±
10%)
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only
and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25%of the cycle time or
10 ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc
+10%.
3. V
TERM
= 5.5V.
l
r
l
u
e
m
d
m
n
o
C
&
y
r
a
M
t
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V
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0
+
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+
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5
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A
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B
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5
5
5
3
1
+
o
5
6
o
C
T
G
T
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g
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p
a
S
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e
T
5
2
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+
o
5
5
0
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1
+
o
5
6
o
C
P
T
)
r
w
p
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o
P
n
o
5
5
W
I
T
U
O
t
p
O
t
C
e
C
D
0
5
0
5
A
m
1
0
l
0
2
7
2
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output
signals switch from 0V to 3V and from 3V to 0V.
l
b
m
y
S
r
e
m
a
r
a
P
s
n
o
n
o
C
)
.
a
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a
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n
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3
=
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1
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C
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a
C
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O
V
T
U
O
V
d
3
=
1
1
F
p
2
0
l
0
2
7
2
NOTES:
1. This is the parameter T
A
.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact
your sales office.
NOTES:
1. V
IL
(min.) > –1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
l
b
m
y
S
r
e
m
a
r
a
P
.
M
.
y
T
.
a
M
t
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C
C
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V
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5
0
5
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D
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0
V
V
H
I
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a
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t
p
n
2
_
_
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_
0
)
V
V
L
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a
V
w
o
L
t
p
n
5
)
_
_
_
_
8
V
4
0
l
0
2
7
2
1. At Vcc
≤
2.0V input leakages are undefined.
l
b
m
y
S
r
e
m
a
r
a
P
s
n
o
n
o
C
t
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.
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C
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C
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V
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V
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4
_
_
_
V
5
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0
2
7
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n
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M
5
5
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5
2
1
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O
C
V
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V
0
+
%
0
1
l
m
m
o
C
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7
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o
C
O
C
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8
+
o
C
O
C
V
0
V
0
+
%
0
1
3
0
l
0
2
7
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7140 High Speed 1K X 8 Dual-Port Static RAM(高速1K×8雙端口靜態(tài)RAM)
IDT7142LA100C HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321 HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321SA HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
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IDT71342LA20PF 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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