參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7134LA35P
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 4K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PDIP48
封裝： PLASTIC, DIP-48
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 110K
代理商： IDT7134LA35P
6.04
4
IDT7134SA/LA
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
DATA RETENTION CHARACTERISTICS OVER ALL TEMPERATURE RANGES
(LA Version Only) V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
Symbol
V
DR
I
CCDR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
VCC for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 2V
CE
≥
V
HC
V
IN
≥
V
HC
or < V
LC
2.0
—
—
—
100
100
—
V
μ
A
MIL.
COM’L.
4000
1500
t
CDR(3)
t
R(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
0
—
—
ns
Operation Recovery Time
t
RC(2)
—
—
ns
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
2720 tbl 07
DATA RETENTION WAVEFORM
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2720 tbl 08
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
, t
, t
, t
)
*Including scope and jig
+5V
1250
30pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 06
+5V
1250
5pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 07
V
CC
CE
DATA RETENTION MODE
4.5V
4.5V
V
DR
≥
2V
V
DR
V
IH
V
IH
t
CDR
t
R
2720 drw 05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7134LA35PB HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7134LA45C HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7134LA45F HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7134LA45J 30V Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package; Package: SO-14; No of Pins: 14; Container: Tape &amp; Reel
IDT7134LA45L48 HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7134LA45CB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 45NS SB48
IDT7134LA45J 功能描述:IC SRAM 32KBIT 45NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
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IDT7134LA45P 功能描述:IC SRAM 32KBIT 45NS 48DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT7134LA55CB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS SB48
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