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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7134LA45JB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 4K X 8 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, PQCC52 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-52 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | IDT7134LA45JB |
6.04
4
IDT7134SA/LA
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
DATA RETENTION CHARACTERISTICS OVER ALL TEMPERATURE RANGES
(LA Version Only) V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
Symbol
V
DR
I
CCDR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
VCC for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 2V
CE
≥
V
HC
V
IN
≥
V
HC
or < V
LC
2.0
—
—
—
100
100
—
V
μ
A
MIL.
COM’L.
4000
1500
t
CDR(3)
t
R(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
0
—
—
ns
Operation Recovery Time
t
RC(2)
—
—
ns
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
2720 tbl 07
DATA RETENTION WAVEFORM
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2720 tbl 08
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
, t
, t
, t
)
*Including scope and jig
+5V
1250
30pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 06
+5V
1250
5pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 07
V
CC
CE
DATA RETENTION MODE
4.5V
4.5V
V
DR
≥
2V
V
DR
V
IH
V
IH
t
CDR
t
R
2720 drw 05
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7134SA45PB | RF Power Transistor |
| IDT7134LA45PB | FTDI232BM, USB-RS232, 32-LQFP SMT |
| IDT7134LA55C | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7134LA55CB | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7134LA55F | 150V N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7134LA55CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS SB48 |
| IDT7134LA55J | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7134LA55J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7134LA55L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS 48LCC |
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