參數(shù)資料
型號： IDT7134SA20CB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 高速4K的× 8雙端口靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： IDT7134SA20CB
6.04
4
IDT7134SA/LA
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
DATA RETENTION CHARACTERISTICS OVER ALL TEMPERATURE RANGES
(LA Version Only) V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
Symbol
V
DR
I
CCDR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
VCC for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 2V
CE
≥
V
HC
V
IN
≥
V
HC
or < V
LC
2.0
—
—
—
100
100
—
V
μ
A
MIL.
COM’L.
4000
1500
t
CDR(3)
t
R(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
0
—
—
ns
Operation Recovery Time
t
RC(2)
—
—
ns
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
2720 tbl 07
DATA RETENTION WAVEFORM
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2720 tbl 08
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
, t
, t
, t
)
*Including scope and jig
+5V
1250
30pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 06
+5V
1250
5pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 07
V
CC
CE
DATA RETENTION MODE
4.5V
4.5V
V
DR
≥
2V
V
DR
V
IH
V
IH
t
CDR
t
R
2720 drw 05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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