參數(shù)資料
型號: IDT7140LA25PB
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PDIP48
封裝: PLASTIC, DIP-48
文件頁數(shù): 11/14頁
文件大?。?/td> 218K
代理商: IDT7140LA25PB
6.01
11
IDT7130SA/LA AND IDT7140SA/LA
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(2)
8M824S25
7130X55
7140X55
Min.
8M824S308M824S35
7130X100
7140X100
Min.
Max.
7130X20
(1)
7130X25
(3)
7140X25
(3)
Min.
7130X35
7140X35
Min. Max.
Symbol
Interrupt Timing
t
AS
t
WR
t
INS
t
INR
Parameter
Min.
Max.
Max.
Max.
Unit
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
20
20
0
0
25
25
0
0
25
25
0
0
45
45
0
0
60
60
ns
ns
ns
ns
2689 tbl 12
NOTES:
1.
2.
3.
0
°
C to +70
°
C temperature range only, PLCC and TQFP packages.
“X” in part numbers indicates power rating (SA or LA).
Not available in DIP packages .
INT
SET:
TIMING WAVEFORM OF INTERRUPT MODE
INT
CLEAR:
NOTES:
.
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table.
3. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
t
INS
ADDR
'A'
INT
'B'
INTERRUPT ADDRESS
t
WC
t
AS
R/
W
'A'
t
WR
2689 drw 16
(3)
(3)
(2)
(4)
t
RC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR
'B'
OE
'B'
t
INR
INT
'B'
2689 drw 17
t
AS
(3)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA25TF HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA25TF HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7130LA25TF HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140LA25TF HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7130LA20F HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7140LA25PF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7140LA25PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140LA25PFG 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7140LA25PFG8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140LA25PFI 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI