參數(shù)資料
型號： IDT7140SA100JB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 100 ns, PQCC52
封裝： PLASTIC, LCC-52
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大小： 218K
代理商： IDT7140SA100JB
IDT7130SA/LA AND IDT7140SA/LA
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.01
2
PIN CONFIGURATIONS
(1,2)
NOTES:
1. All Vcc pins must be connected to the power supply.
2. All GND pins must be connected to the ground supply.
3. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
INDEX
IDT7130/40
PP64-1 & PN64-1
64-PIN STQFP
64-PIN TQFP
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IDT7130/40
L48-1
&
F48-1
48-PIN LCC/ FLATPACK
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IDT7130/40
J52-1
52-PIN PLCC
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IDT7130/
IDT7140
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相關PDF資料
PDF描述
IDT7140SA100L48 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET; Package: SOIC; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel
IDT7140SA100L48B P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
IDT7140SA100P HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA100PB HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA100PF HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7140SA100L48B 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 48LCC
IDT7140SA100P 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA100PF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA100PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT7140SA20J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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