參數(shù)資料
型號(hào): IDT7140SA25C
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, CDIP48
封裝: SIDE BRAZED, DIP-48
文件頁(yè)數(shù): 11/14頁(yè)
文件大?。?/td> 218K
代理商: IDT7140SA25C
6.01
11
IDT7130SA/LA AND IDT7140SA/LA
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(2)
8M824S25
7130X55
7140X55
Min.
8M824S308M824S35
7130X100
7140X100
Min.
Max.
7130X20
(1)
7130X25
(3)
7140X25
(3)
Min.
7130X35
7140X35
Min. Max.
Symbol
Interrupt Timing
t
AS
t
WR
t
INS
t
INR
Parameter
Min.
Max.
Max.
Max.
Unit
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
20
20
0
0
25
25
0
0
25
25
0
0
45
45
0
0
60
60
ns
ns
ns
ns
2689 tbl 12
NOTES:
1.
2.
3.
0
°
C to +70
°
C temperature range only, PLCC and TQFP packages.
“X” in part numbers indicates power rating (SA or LA).
Not available in DIP packages .
INT
SET:
TIMING WAVEFORM OF INTERRUPT MODE
INT
CLEAR:
NOTES:
.
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table.
3. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
t
INS
ADDR
'A'
INT
'B'
INTERRUPT ADDRESS
t
WC
t
AS
R/
W
'A'
t
WR
2689 drw 16
(3)
(3)
(2)
(4)
t
RC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR
'B'
OE
'B'
t
INR
INT
'B'
2689 drw 17
t
AS
(3)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7140SA25CB HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA25F HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA25FB HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA25J HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA25P HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7140SA25J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA25J8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA25PF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7140SA25PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7140SA35C 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8