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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7140SA25P |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PDIP48 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | IDT7140SA25P |
IDT7130SA/LA AND IDT7140SA/LA
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.01
10
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH
BUSY
(3)
BUSY
'B'
2689 drw 13
R/
W
'A'
t
WP
t
WH
t
WB
R/
W
'B'
(2)
(1)
NOTES:
1.
t
WH
must be met for both BUSY Input (IDT7140, slave) or Output (IDT7130 master).
2. BUSY is asserted on port 'B' blocking R/W'B', until BUSY'B' goes High.
3. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right
port. Port "B" is opposite from port "A".
TIMING WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CONTROLLED BY
CE
TIMING
(1)
TIMING WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CONTROLLED BY ADDRESS MATCH TIMING
(1)
t
RC
OR
t
WC
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. If t
APS
is not satisified, the
BUSY
will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side
BUSY
will be
asserted (7130 only).
t
APS
ADDR
'A'
AND
'B'
ADDRESSES MATCH
t
BAC
t
BDC
CE
'B'
CE
'A'
BUSY
'A'
2689 drw 14
(2)
BUSY
'B'
ADDRESSES DO NOT MATCH
ADDRESSES MATCH
t
APS
ADDR
'A'
ADDR
'B'
2689 drw 15
(2)
t
BAA
t
BDA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7140SA25PF | 30V Single N-Channel, Logic Level, Power Trench MOSFET |
| IDT7140SA25PFB | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET; Package: SOIC; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel |
| IDT7140SA35C | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| IDT7130SA | HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7130SA20J | HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT7140SA35C | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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