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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71421LA20JI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
| 中文描述： | 高速2K × 8雙端口靜態(tài)RAM的中斷 |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | IDT71421LA20JI |
6.42
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature Supply Voltage Range
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
Data Retention Characteristics
(LA Version Only)
Symbol
Parameter
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25°C, and is not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
NOTE:
1. At Vcc
<
2.0V leakages are undefined.
Data Retention Waveform
V
CC
CE
4.5V
4.5V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0V
≥
2692 drw 05
,
Symbol
Parameter
Test Conditions
7132SA
7142SA
7132LA
7142LA
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
|I
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V,
V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|I
LO
|
Output Leakage Current
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OL
Open Drain Output
Low Voltage (
BUSY
)
I
OL
= 16mA
___
0.5
___
0.5
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
2692 tbl 05
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
V
CC
= 2.0V
2.0
___
___
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
> V
CC
-0.2V
V
IN
> V
CC
-0.2V or
Mil. & Ind.
___
100
4000
μA
Com'l.
___
100
1500
μA
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
V
IN
<
0.2V
0
___
___
ns
t
R
(3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
___
___
ns
2692 tbl 06
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71421LA20PF | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
| IDT71421LA20PFI | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
| IDT71421LA20TF | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
| IDT71421LA20TFI | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
| IDT71421LA25J | HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71421LA20PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71421LA20PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71421LA20PFG | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71421LA20PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP |
| IDT71421LA25J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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