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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7143LA35FI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| 中文描述： | 2K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CQFP68 |
| 封裝： | FP-68 |
| 文件頁數(shù)： | 8/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | IDT7143LA35FI |
6.42
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1, EITHER SIDE
(5)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2, EITHER SIDE
(5)
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is deasserted first,
OE
or
CE
.
3. t
BDD
delay is required only in a case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations,
BUSY
has no
relationship to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last, t
AOE
, t
ACE
, t
AA,
or t
BDD
.
5. R/W = V
IH
, and the address is valid prior to or coincidental with
CE
transition LOW.
2746 drw 07
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
ADDRESS
t
RC
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
BUSY
OUT
t
BDD
(3,4)
2746 drw 08
t
AOE
t
LZ
t
HZ
DATA
OUT
CE
t
ACE
VALID DATA
OE
CURRENT
I
CC
I
SB
t
PU
50%
t
LZ
t
PD
50%
t
HZ
(1)
(4)
(1)
(4)
(2)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7143LA35G | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143LA35GB | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143LA35GI | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143LA35J | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143LA35JB | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7143LA35G | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7143LA35GB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PGA |
| IDT7143LA35J | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7143LA35J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7143LA35PF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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