參數(shù)資料
型號: IDT7164L20Y
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
中文描述: 8K X 8 STANDARD SRAM, 19 ns, PDSO28
封裝: 0.300 INCH, SOJ-28
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 104K
代理商: IDT7164L20Y
6.1
5
IDT7164S/L
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
10%, All Temperature Ranges)
7164S15
(1)
7164L15
(1)
Min.
7164S20
7164L20
Min.
7164S25
7164L25
Min.
7164S30
(2)
7164L30
Min.
Symbol
Parameter
Max.
Max.
Max.
Max.
Unit
Read Cycle
t
RC
Read Cycle Time
15
20
25
30
ns
t
AA
t
ACS1(3)
t
ACS2(3)
t
CLZ1,2(4)
Chip Select-1, 2 to Output in Low-Z
Address Access Time
15
19
25
29
ns
Chip Select-1 Access Tim
15
20
25
30
ns
Chip Select-2 Access Time
20
25
30
35
ns
5
5
5
5
ns
t
OE
t
OLZ(4)
t
CHZ1,2(4)
Chip Select-1, 2 to Output in High-Z
t
OHZ(4)
Output Disable to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
7
8
12
15
ns
Output Enable to Output in Low-Z
0
0
0
0
ns
8
9
13
13
ns
7
8
10
12
ns
t
OH
t
PU(4)
t
PD(4)
Output Hold from Address Change
5
5
5
5
ns
Chip Select to Power Up Time
0
0
0
0
ns
Chip Deselect to Power Down Time
15
20
25
30
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
15
20
25
30
ns
t
CW1, 2
Chip Select to End-of-Write
14
15
18
22
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
14
15
18
22
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
0
0
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
Write Recovery Time
(
CS
1
,
WE
)
Write Recovery Time
(CS
2
)
14
15
21
23
ns
t
WR1
0
0
0
0
ns
t
WR2
t
WHZ(4)
5
5
5
5
ns
Write Enable to Output in High-Z
6
8
10
12
ns
t
DW
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
(
CS
1
,
WE
)
Data Hold from Write Time
(CS
2
)
8
10
13
13
ns
t
DH1
0
0
0
0
ns
t
DH2
t
OW(4)
5
5
5
5
ns
Output Active from End-of-Write
4
4
4
4
ns
NOTES:
1. 0
°
to +70
°
C temperature range only.
2. –55
°
C to +125
°
C temperature range only. Also available: 100ns military devices.
3. Both chip selects must be active for the device to be selected.
4. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
2967 tbl 11
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PDF描述
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