參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7164L25Y
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Replaced by TL16C754B : Quad UART with 64-Byte Fifos, Auto Flow Control, Low-Power Modes 80-LQFP -40 to 85
中文描述： 8K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, SOJ-28
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： IDT7164L25Y
6.1
6
IDT7164S/L
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)
(V
CC
= 5.0V
±
10%, All Temperature Ranges)
7164S35
7164L35
Min.
7164S45
(2)
7164L45
(2)
Min.
7164S55
(2)
7164L55
(2)
Min.
7164S70/85
(2)
7164L70/85
(2)
Min.
Symbol
Parameter
Max.
Max.
Max.
Max.
Unit
Read Cycle
t
RC
Read Cycle Time
35
—
45
—
55
—
70/85
—
ns
t
AA
t
ACS1(3)
t
ACS2(3)
t
CLZ1,2(4)
Chip Select-1, 2 to Output in Low-Z
Address Access Time
—
35
—
45
—
55
—
70/85
ns
Chip Select-1 Access Time
—
35
—
45
—
55
—
70/85
ns
Chip Select-2 Access Time
—
40
—
45
—
55
—
70/85
ns
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
t
OE
t
OLZ(4)
t
CHZ1,2(4)
Chip Select-1, 2 to Output in High-Z
t
OHZ(4)
Output Disable to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
—
18
—
25
—
30
—
35/40
ns
Output Enable to Output in Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
—
15
—
20
—
25
—
30/35
ns
—
15
—
20
—
25
—
30/35
ns
t
OH
t
PU(4)
t
PD(4)
Output Hold from Address Change
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Chip Select to Power Up Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Chip Deselect to Power Down Time
—
35
—
45
—
55
—
70/85
ns
Write Cycle
t
WC
Write Cycle Time
35
—
45
—
55
—
70/85
—
ns
t
CW1, 2
Chip Select to End-of-Write
25
—
33
—
50
—
60/75
—
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
25
—
33
—
50
—
60/75
—
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
Write Recovery Time
(
CS
1
,
WE
)
Write Recovery Time
(CS
2
)
25
—
25
—
50
—
60/75
—
ns
t
WR1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
WR2
t
WHZ(4)
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Write Enable to Output in High-Z
—
14
—
18
—
25
—
30/35
ns
t
DW
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
(
CS
1
,
WE
)
Data Hold from Write Time
(CS
2
)
15
—
20
—
25
—
30/35
—
ns
t
DH1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
DH2
t
OW(4)
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
Output Active from End-of-Write
4
—
4
—
4
—
4
—
ns
NOTES:
1. 0
°
to +70
°
C temperature range only.
2. –55
°
C to +125
°
C temperature range only. Also available: 100ns military devices.
3. Both chip selects must be active for the device to be selected.
4. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
2967 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7164L25YB CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164L35D Quad UART with 64-Byte FIFO 68-PLCC -40 to 85
IDT7164L35DB CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
IDT7164L35P Quad UART with 64-Byte FIFO 80-LQFP -40 to 85
IDT7164L35PB CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7164L25YG 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT7164L25YG8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT7164L25YGI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT7164L25YGI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT7164L25YI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
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