參數(shù)資料
型號： IDT7188S55DB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Current-Mode PWM Controller 14-SOIC -40 to 85
中文描述： 16K X 4 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP22
封裝： 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 88K
代理商： IDT7188S55DB
4
IDT7188S/L
CMOS Static RAM 64K (16K x 4-Bit) Military Temperature Range
Data Retention Characteristics
(L Version Only) (V
HC
= V
CC
- 0.2V)
Low V
CC
Data Retention Waveform
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for t
HZ
, t
LZ
, t
WZ
, t
OHZ
and t
OW
)
*Includes scope and jig capacitances
2989 drw 03
DATA
RETENTION
MODE
4.5V
4.5V
V
DR
≥
2V
V
IH
V
IH
t
R
t
CDR
V
CC
CS
V
DR
,
2989 drw 04
480
30pF*
255
DATA
OUT
5V
,
2989 drw 05
480
5pF*
255
DATA
OUT
5V
,
NOTES:
1. T
A
= +25°C.
2. t
RC
= Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
Typ.
(1)
V
CC
@
Max.
V
CC
@
Symbol
Parameter
Test
Condition
Mn.
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
____
2.0
____
____
____
____
V
I
CCDR
Data Retention Current
____
10
15
600
900
μ
A
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
CS
> V
HC
V
IN
> V
HC
or
< V
LC
0
____
____
____
____
ns
t
R
(3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
____
____
____
____
ns
I
I
LI
I
(3)
Input Leakage Current
____
____
____
2
2
μ
A
2989 tbl 09
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
2989 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7188L25DB CMOS STATIC RAM 64K 16K x 4-BIT
IDT7188L35DB Cable Gland (Clamp); Connector Shell Size:16; Leaded Process Compatible:No; Length:1.81"; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
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