參數(shù)資料
型號: IDT71P73204250BQ
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
中文描述: 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4
文件頁數(shù): 8/25頁
文件大?。?/td> 648K
代理商: IDT71P73204250BQ
6.42
8
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Pin Configuration IDT71P73604 (512K x 36)
165-ball FBGA Pinout
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NOTES:
1. A3 is reserved for the 36Mb expansion address
2. A10 is reserved for the 72Mb expansion address.
3. A2 is reserved for the 144Mb expansion address.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P73604 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73604167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73604200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73604250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73804 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
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參數(shù)描述
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IDT71P73604S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤
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