參數(shù)資料
型號: IDT71P73804250BQ
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
中文描述: 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4
文件頁數(shù): 8/25頁
文件大小: 648K
代理商: IDT71P73804250BQ
6.42
8
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Pin Configuration IDT71P73604 (512K x 36)
165-ball FBGA Pinout
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NOTES:
1. A3 is reserved for the 36Mb expansion address
2. A10 is reserved for the 72Mb expansion address.
3. A2 is reserved for the 144Mb expansion address.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P74104 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74104S167BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74104S200BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74104S250BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74104S300BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71P73804S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤
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