型號: | IDT71P74604 |
廠商: | Integrated Device Technology, Inc. |
英文描述: | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
中文描述: | 35.7流水線QDR II SRAM等突發(fā)4 |
文件頁數(shù): | 7/22頁 |
文件大?。?/td> | 592K |
代理商: | IDT71P74604 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT71P74604S167BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
IDT71P74604S200BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT71P74604S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 |
IDT71P74604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 |
IDT71P74604S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 |
IDT71P74604S167BQG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 |
IDT71P74604S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 |