參數(shù)資料
型號： IDT71P74604S200BQ
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
中文描述： 512K X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 20/22頁
文件大?。?/td> 592K
代理商： IDT71P74604S200BQ
6.42
20
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Package Diagram Outline for 165-Ball Fine Pitch Grid Array
相關PDF資料
PDF描述
IDT71P74604S250BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74604S300BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74604S333BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71P74604S200BQG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
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