參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71P74804S300BQ
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
中文描述： 1M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 18/22頁(yè)
文件大?。?/td> 592K
代理商： IDT71P74804S300BQ
6.42
18
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Boundary Scan Exit Order (1M x 18-Bit, 512K x 36-Bit)
ORDER
PINID
1
6R
2
6P
3
6N
4
7P
5
7N
6
7R
7
8R
8
8P
9
9R
10
11P
11
10P
12
10N
13
9P
14
10M
15
11N
16
9M
17
9N
18
11L
19
11M
20
9L
21
10L
22
11K
23
10K
24
9J
25
9K
26
10J
27
11J
28
11H
29
10G
30
9G
31
11F
32
11G
33
9F
34
10F
35
11E
36
10E
6111 tbl 16
ORDER
PINID
37
10D
38
9E
39
10C
40
11D
41
9C
42
9D
43
11B
44
11C
45
9B
46
10B
47
11A
48
Internal
49
9A
50
8B
51
7C
52
6C
53
8A
54
7A
55
7B
56
6B
57
6A
58
5B
59
5A
60
4A
61
5C
62
4B
63
3A
64
1H
65
1A
66
2B
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3B
68
1C
69
1B
70
3D
71
3C
72
1D
6111 tbl 17
ORDER
PIN ID
73
2C
74
3E
75
2D
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2E
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1E
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1F
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3J
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3L
92
1M
93
1L
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3N
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3M
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1N
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2M
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3P
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100
2P
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3R
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4R
104
4P
105
5P
106
5N
107
5R
6111 tbl 18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P74804S333BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71T016SA12YI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA15PH 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA15PHI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA15Y 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
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