型號: | IDT71P79104 |
廠商: | Integrated Device Technology, Inc. |
英文描述: | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
中文描述: | 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2 |
文件頁數(shù): | 7/23頁 |
文件大?。?/td> | 641K |
代理商: | IDT71P79104 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT71P79204 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT71P79804S167BQI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
IDT71P79804S250BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
IDT71P79804S250BQG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
IDT71P79804S250BQGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |