參數(shù)資料
型號： IDT71P79604
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
中文描述： 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2
文件頁數(shù)： 8/23頁
文件大小： 641K
代理商： IDT71P79604
6.42
8
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration IDT71P79604 (512K x 36)
165-ball FBGA Pinout
TOP VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ
V
SS/
SA
(4)
NC/
SA
(2)
R/W
BW
2
K
BW
1
LD
NC/
SA
(1)
V
SS/
SA
(3)
CQ
B
Q
27
Q
18
D
18
SA
BW
3
K
BW
0
SA
D
17
Q
17
Q
8
C
D
27
Q
28
D
19
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
D
16
Q
7
D
8
D
D
28
D
20
Q
19
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
Q
16
D
15
D
7
E
Q
29
D
29
Q
20
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
Q
15
D
6
Q
6
F
Q
30
Q
21
D
21
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
D
14
Q
14
Q
5
G
D
30
D
22
Q
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
Q
13
D
13
D
5
H
Doff
V
REF
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
REF
ZQ
J
D
31
Q
31
D
23
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
D
12
Q
4
D
4
K
Q
32
D
32
Q
23
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
DD
V
DDQ
Q
12
D
3
Q
3
L
Q
33
Q
24
D
24
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
D
11
Q
11
Q
2
M
D
33
Q
34
D
25
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
D
10
Q
1
D
2
N
D
34
D
26
Q
25
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
Q
10
D
9
D
1
P
Q
35
D
35
Q
26
SA
SA
C
SA
SA
Q
9
D
0
Q
0
R
TDO
TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
6432 tbl 12c
NOTES:
1. A9 is reserved for the 36Mb expansion address.
2. A3 is reserved for the 72Mb expansion address.
3. A10 is reserved for the 144Mb expansion address. This must be tied or driven to VSS on the 512K x 36 DDRII SIO Burst of 2 (71P79604)
devices.
4. A2 is reserved for the 288Mb expansion address. This must be tied or driven to VSS on the 512K x 36 DDRII SIO Burst of 2 (71P79604)
devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P79804 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104167BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104200BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71P79804S167BQI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71P79804S167BQI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71P79804S250BQG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71P79804S250BQG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71P79804S250BQGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*