參數(shù)資料
型號(hào): IDT71P79804
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
中文描述: 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2
文件頁數(shù): 15/23頁
文件大?。?/td> 641K
代理商: IDT71P79804
6.42
15
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Combined Read and Write Cycles
6432 drw 09a
K
K
1
2
3
LD
A
Q
tKHCH
tKHKL
tKHIX
tIVKH
tKHAX
tAVKH
C
C
CQ
CQ
tCHQX
tCHQX1
tKLKH
tCHCQV
tCHCQX
R/
W
D
tDVKH
tDVKH
4
5
6
7
tKLKH
tKHKH
tKH
K
H
A2
A1
A0
A3
tKHDX
tKHDX
D20
tCHQV
tCHQX
tCHQV
tCQHQV
tKHCH
tKHKL
NOP
Read A0
(burst of 2)
Read A1
(burst of 2)
Write A3
(burst of 2)
Write A2
(burst of 2)
Read A4
(burst of 2)
D21
Q00
Q01
Q10
Q11
Q40
Q41
8
NOP
A4
D30
D31
Qx1
tCHQZ
tKHKH
tKH
K
H
tCHCQX
tCHCQV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P79104167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104167BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104200BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79104250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
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參數(shù)描述
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IDT71P79804S250BQG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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