參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71T016SA10BFI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
中文描述： 為2.5V的CMOS靜態(tài)RAM 1梅格（64K的x 16位）
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： IDT71T016SA10BFI
6.42
IDT71T016SA, 2.5V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
A
BLE
OE
A
0
A
1
A
2
NC
B
I/O
8
BHE
A
3
A
4
CS
I/O
0
C
I/O
9
I/O
10
A
5
A
6
I/O
1
I/O
2
D
V
SS
I/O
11
NC
A
7
I/O
3
V
DD
E
V
DD
I/O
12
NC
NC
I/O
4
V
SS
F
I/O
14
I/O
13
A
14
A
15
I/O
5
I/O
6
G
I/O
15
NC
A
12
A
13
WE
I/O
7
H
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
5326 tbl 02a
Pin Configurations
TSOP
Top View
Pin Description
Truth Table
(1)
NOTE:
1. H = V
IH
, L = V
IL
, X = Don't care.
A
0
– A
15
Address Inputs
Input
CS
Chip Select
Input
WE
Write Enable
Input
OE
Output Enable
Input
BHE
High Byte Enable
Input
BLE
Low Byte Enable
Input
I/O
0
– I/O
15
Data Input/Output
I/O
V
DD
2.5V Power
Power
V
SS
Ground
Gnd
5326 tbl 01
CS
OE
WE
BLE
BHE
I/O
0
-I/O
7
I/O
8
-I/O
15
Function
H
X
X
X
X
High-Z
High-Z
Deselected – Standby
L
L
H
L
H
DATA
OUT
High-Z
Low Byte Read
L
L
H
H
L
High-Z
DATA
OUT
High Byte Read
L
L
H
L
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Word Read
L
X
L
L
L
DATA
IN
DATA
IN
Word Write
L
X
L
L
H
DATA
IN
High-Z
Low Byte Write
L
X
L
H
L
High-Z
DATA
IN
High Byte Write
L
H
H
X
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
L
X
X
H
H
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
5326 tbl 02
FBGA (BF48-1)
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
I/O
7
WE
NC
A
12
A
13
A
14
A
15
I/O
6
I/O
5
I/O
4
V
SS
V
DD
I/O
3
I/O
2
I/O
1
I/O
0
CS
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I/O
15
I/O
14
I/O
13
I/O
12
V
SS
V
DD
I/O
11
I/O
10
I/O
9
I/O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
A
5
SO44-1
SO44-2
5326 drw 02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71T016SA10PH 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
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IDT71T016SA10YI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA12BF P-Channel NexFET? Power MOSFET 6-SON -55 to 150
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參數(shù)描述
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IDT71T016SA12BFI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA12PH 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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