- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377330 > IDT71V124SA10PH (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V124SA10PH |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TSOP2-32 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | IDT71V124SA10PH |
6.42
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of
CS
transition LOW; otherwise t
AA
is the limting parameter.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1)
Timing Waveform of Read Cycle No. 2
(1, 2, 4)
ADDRESS
3873 drw 05
OE
CS
DATA
OUT
(5)
(5)
(5)
(5)
DATA
OUT
VALID
HIGH IMPEDANCE
t
AA
t
RC
t
OE
t
ACS
t
OLZ
t
CHZ
t
CLZ
(3)
t
OHZ
.
DATA
OUT
ADDRESS
3873 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V124SA10TY | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| IDT71V124SA10Y | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| IDT71V124SA10YI | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| IDT71V124SA12 | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| IDT71V124SA12PH | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V124SA10PH8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA10PHG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| IDT71V124SA10PHG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| IDT71V124SA10PHGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V124SA10PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。