參數(shù)資料
型號： IDT71V2546S150BQ
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： CONNECTOR BNC PLUG TRUE 75 OHM
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FBGA-165
文件頁數(shù)： 8/28頁
文件大?。?/td> 1004K
代理商： IDT71V2546S150BQ
6.42
8
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
NOTES:
1. H1, H2, and N7 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. A9, B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144Mand 288Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
5. Pin H11 supports ZZ (sleep mode) on the latest die revision.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(2)
A
7
CE1
BW
3
BW
2
CE
2
CEN
ADV/
LD
NC
(2)
A
8
NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
4
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
I/O
21
I/O
20
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
11
I/O
10
G
I/O
23
I/O
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
DD
(1)
V
DD
(1)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
I/O
25
I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
6
K
I/O
27
I/O
26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
I/O
2
M
I/O
31
I/O
30
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
11
A
12
A
15
A
16
5294tbl 25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(2)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(2)
A
8
A
10
B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
V
DD
(1)
V
DD
(1)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
11
A
14
A
15
NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
12
A
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A
16
A
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5294 tbl 25a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2548S100BG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548S100BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548S100BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548SA150BG Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 5600pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Tape & Reel; Qty per Container: 1500
IDT71V2548SA150BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71V2546S150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2546S150PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V2546S150PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V2546S150PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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