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參數資料
| 型號： | IDT71V2546S150BQI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 20V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail |
| 中文描述： | 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的2.5VI / O的脈沖計數器輸出流水線 |
| 文件頁數： | 28/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1004K |
| 代理商： | IDT71V2546S150BQI |
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6.42
28
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
CORPORATE HEADQUARTERS
2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-544-7726
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
12/31/99
Created prelimnary datasheet from71V2556 and 71V2558 datasheets. Changed t
CDC
, t
t
CLZ
, andt
CHZ
mnimums from1.0ns to 1.5ns.
Add 150 MHz speed grade offering
03/04/00
Pg. 1,14,
15,22
Pg. 5,6
05/02/00
Insert clarification note to Recommended Operating Temperature and Absolute Max Ratings
tables
Clarify note onTQFP and BGA pin configurations; corrected typo in pinout
Add BGA capacitance table
Add 100 pin TQFP Package DiagramOutline
Add new package offering, 13 x 15mm165 fBGA
Correct 119 BGA Package DiagramOutline
Add ZZ, sleep mode refernce note to BG119, PK100 and BQ165 pinouts
Update BQ165 pinout
Update BG119 Package DiagramOutline dimensions
Remove Prelimnary status fromdatasheet
Add reference note to pin N5 on BQ165, reserved for JTAG pin
TRST
Added JTAG "SA" version functionality and updated ZZ pin descriptions and notes
Pg. 5,6,7
Pg. 6
Pg. 21
05/26/00
Pg. 23
Pg. 5-8
Pg. 8
Pg. 23
07/26/00
10/25/00
Pg. 8
Pg. 1-8,15,22,23,
27
Pg. 7
05/20/02
09/30/04
Updated pin configuration for the 119 BGA-reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36)
and P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
ZBT and ZeroBus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Mcron Technology and Motorola Inc.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V2546S150PF | 25V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail |
| IDT71V2546S150PFI | 25V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail |
| IDT71V2546SA | 25V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail |
| IDT71V2546SA100BG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V2546SA100BGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT71V2546S150PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
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| IDT71V2546S150PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V2546S150PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V2546S150PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
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